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力傳感器

單芯片力傳感器MEMS芯片上4個壓敏電阻構成惠斯通電橋結構,當外界有力作用在器件上,器件發生變形,壓敏電阻阻值隨之發生變化;由于電阻擺放位置的不同,壓敏電阻的阻值也相應的有不同的變化,惠斯通電橋產生模擬差分信號輸出。
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MEMS力傳感器
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參數

產品特點:

單芯片力傳感器MEMS芯片上4個壓敏電阻構成惠斯通電橋結構,當外界有力作用在器件上,器件發生變形,壓敏電阻阻值隨之發生變化;由于電阻擺放位置的不同,壓敏電阻的阻值也相應的有不同的變化,惠斯通電橋產生模擬差分信號輸出。

集成式力傳感器在單顆封裝體內集成MEMS力傳感器芯片及信號處理ASIC芯片,ASIC實現信號放大、ADC轉換、信號處理,并且在有按壓動作時,在INT腳輸出中斷信號。集成式力傳感器在出廠前每顆器件都經過校準,保證輸出一致性;在整機應用時,通過I2C接口配置閾值寄存器,主控可以針對不同機型靈活設置不同的按壓閾值,同時也可以實現清零的功能,以消除裝配時的預壓力。

產品型號: 

產品型號 尺寸(mm) 靈敏度 輸出方式 安裝方式 是否需要橡膠墊
MST701 0.8x0.8x0.1 30 mV/N 模擬差分 單面貼裝/雙面固定

Yes/No

 技術參數:

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit
Supply Voltage VOP 2.9 3.3 3.7 V
Supply Current(2) IOP   500 800 mA
Contact Force FZ     100 N
Offset VOUT,0 -30   30 mV
Sensitivity SENS   30   mV/N
Temperature Coeff. Of Offset TCO   -0.1   %FS/°C
Temperature Coeff. Of Sensitivity TCS   2000   ppm
Response Time TRESP   5   ms
Linearity LIN   5%    
Repeatability REP   5%    
Operating Temperature TOP -20   70 °C

 

關鍵詞:
傳感器
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